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詳細說明(以下型號信息僅供參考,詳細請聯系我司銷售代表)


H5TQ2G63GFR-RDI SKhynix(海力士)DDR3存储芯片 原厂原装

生産商:SKhynix(海力士)

産品类别:集成电路-存储器

系列:-

存儲格式:DRAM

存儲技術:SDRAM-DDR3

存儲容量:2Gb

存儲接口:並聯

SPEED(速度):-

時鍾頻率:533MHz

寫入時間:-

訪問時間:-

電壓-電源:1.425V~1.575V

工作温度:0°C ~ 95°C

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:FBGA-96

原廠包裝:托盤

零件狀態:批量生産

産品用途:SKhynix(海力士)的DDR3存储芯片主要应用于服务器,智能电视,视频监控,汽车电子,物联网设备,网络机顶盒,通信设备,平板电脑等消费类以及工业类电子设备,是全球第二大DRAM産品供应商。我司供应的産品包含SKhynix(海力士)的DRAM,NAND闪存,嵌入式存储eMMC,eMCP等全系列存储産品。


DDR3突发长度(Burst Length,BL)


由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。


價格說明


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購買說明


客户订购産品之前请联系我司销售代表确认産品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。確認信息之後由我司銷售代表通過公司系統生成訂單,交由客戶最後確認簽字後生成正式訂單。

型號

H5TQ2G63GFR-RDI

品牌

SKhynix

封裝

FBGA96

容量

2Gb

包裝

托盤

存儲技術

SDRAM-DDR3

存儲格式

DRAM

存儲類型

易失

安裝類型

表面貼裝